Os MOSFETs (Transistores de Efeito de Campo de Metal-Oxido-Semicondutor) de baixa e média potência são semicondutores amplamente utilizados em uma variedade de aplicações eletrônicas.

Eles são projetados essencialmente para circuitos de comutação, amplificação, regulação de tensão, controle de motores e muitas outras, tendo como principais características: 

MOSFETs de Baixa Potência

Tendem a ter baixa resistência em estado ligado (RDS (on)), o que significa que oferecem uma queda de tensão mínima quando estão conduzindo corrente. 

São projetados para operar em níveis de tensão, tipicamente abaixo de 100V. 

Frequentemente construídos em encapsulamentos compactos, adequados para aplicações de tamanho reduzido. 

Otimizados para alta eficiência energética, minimizando a dissipação de potência, o que é crítico em dispositivos alimentados por bateria. 

Comumente usados em eletrônicos de consumo, como smartphones, tablets, laptops e dispositivos portáteis, onde a eficiência energética é crucial. E também podem ser encontrados em circuitos de comutação de sinais, como interruptores, relés e dispositivos de comutação de baixa corrente. 

MOSFETs de Média Potência

Geralmente possuem uma resistência em estado ligado (RDS (on)) moderada, projetada para equilibrar o desempenho elétrico com a dissipação de calor. 

Podem operar em uma ampla faixa de tensões, frequentemente variando de 100V a 600V ou mais. 

Muitas vezes possuem encapsulamentos maiores e recursos de proteção avançados para garantir alta eficiência e confiabilidade. 

São projetados para oferecer uma combinação de desempenho eficiente e confiabilidade em ambientes industriais e aplicações de potência média. 

Usados em uma variedade de aplicações, incluindo controle de motores, inversores de frequência variável (VFDs), fontes de alimentação chaveadas, sistemas de comutação de alta corrente e eletrônica automotiva. E também adequados para aplicações que requerem a comutação de potência moderada a alta. 

A Infineon Technologies é conhecida por seus MOSFETs de alta qualidade e eficiência em várias faixas de potência e duas das famílias notáveis são as OptiMOS e a StrongIRFET, que atendem diferentes necessidades de aplicação, através de recursos como: 

OptiMOS

• Alto Desempenho com Baixa Resistência em Estado Ligado (RDS (on)): Projetada para fornecer um RDS (on) muito baixo, o resultado é uma menor dissipação de energia quando ligados, o que se traduz em alta eficiência energética em muitas aplicações. 

• Ampla Gama de Tensões e Correntes: Tornando-o adequado para aplicações, desde eletrônicos de consumo até sistemas de energia de alta potência. 

• Baixa Capacitância de Entrada e Saída (Ciss e Coss): O que os torna ideais para aplicações que exigem comutação rápida e eficiente, como inversores de frequência variável (VFDs) e fontes de alimentação comutadas. 

• Tecnologia de Semicondutor Avançada: Utiliza-se de tecnologias avançadas, como a CoolMOS™, para melhorar o desempenho e a confiabilidade. 

StrongIRFET

• Desempenho em Alta Potência: Projetada para aplicações que exigem mais robustez, como inversores de potência, conversores CC-CC e sistemas de comutação de alta corrente. 

• Ampla Gama de Tensões e Correntes: Também adequado para uma variedade de aplicações e necessidades da indústria. 

• Dissipação de Calor Aprimorada: Possuem designs de encapsulamento que permitem uma dissipação de calor eficaz, o que é crucial em aplicações de alta potência. 

• Proteção Avançada e Confiabilidade: Equipados com recursos de proteção, como sobretensão, sobrecorrente e alta temperatura, garantindo a confiabilidade em ambientes desafiadores. 

Ambas as famílias, OptiMOS e StrongIRFET, refletem o compromisso da Infineon com a qualidade, confiabilidade e eficiência em seus MOSFETs.